陶瓷積層貼片電容優(yōu)勢(shì)與特性：

1．可以用做出小體積大容量的產(chǎn)品。

2。有助于提高生產(chǎn)效率，可以自動(dòng)化生產(chǎn)。

3.使用貴金屬生產(chǎn)，高穩(wěn)定性，耐高溫，可靠性好，壽命長(zhǎng)。

4.可以替代CBB，鋁電解，使電子產(chǎn)品小型化，節(jié)省空間。產(chǎn)品更美觀，性能更優(yōu)越。

5。陶瓷電容ESR小，可以用在部分高頻電路，產(chǎn)品工作效率更高。

高壓貼片電容的特性：

1.  利用貼片陶瓷電容器介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術(shù)，使電容值大為擴(kuò)大
2.單片結(jié)構(gòu)保證有極佳的機(jī)械性強(qiáng)度及可靠性
3.極高的精確度，在進(jìn)行自動(dòng)裝配時(shí)有高度的準(zhǔn)確性
4.因僅有陶瓷和金屬構(gòu)成，故即便在高溫，低溫環(huán)境下亦無(wú)漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn)，具有較強(qiáng)可靠性與穩(wěn)定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設(shè)計(jì)
6.殘留誘導(dǎo)系數(shù)小，確保上佳的頻率特性
7.因電解電容器領(lǐng)域也獲得了電容，故使用壽命延長(zhǎng)，更造于具有高可靠性的電源
8.由于ESR低，頻率特性良好，故最適合于高頻，高密度類型的電源

2.   

工作溫度范圍: -55～125℃
額定電壓: 100VDC～3000VDC
溫度特性: NPO:≤±30ppm/℃，-55～125℃（EIA Class I）        X7R:≤±15%，-55～125℃（EIA Class II）
容量范圍: NPO:2pF to 100nF X7R:150pF to 2.2uF
損失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
絕緣電阻:10GΩ 或 500/C Ω 取兩者最小值
老化速率: NPO:1% X7R:2.5% 一個(gè)decade時(shí)間
介質(zhì)電耐電壓： 100V ≤ V ＜500V  :200%
額定電壓      500V ≤ V ＜1000V :150%額定電壓                            1000v≤ V                :120%額定電壓

介質(zhì)耐電壓：100V-1000V范圍內(nèi)，可承受1.5倍額定電壓。1000V以上：可承受1.2倍額定電壓。　　
電壓越高，所能做出的容量越低，生產(chǎn)周期4－6周
　　　　
高壓貼片電容特性：
1.等效串聯(lián)電阻（ESR）小，阻抗（Z）低，與同等鉭電容或者鋁電解電容相比，ESR小幾十倍，能量利用率高，發(fā)熱小，價(jià)格低。 　

2.品種，規(guī)格齊全，體積小。容量從10pF到47uF，耐壓從10V-6000V，體積最小可以達(dá)到1X0.5mm.

3.無(wú)極性，可以使用在存在非常高的紋波電路或交流電路，而且裝配更為方便。
4.性能穩(wěn)定，即使被擊穿也不會(huì)燃燒，安全性高。
應(yīng)用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。
　　
　　低容量電容NP0材料（10-6800pF）：適用頻率1-100MHz
　　1.溫度系數(shù)：0±30ppm／℃，-55℃～125℃；
　　2.電容量漂移：不超過(guò)±0.3％或±0.05pF（取較大者）。
　　3.老化特性：無(wú)
　　
　　高容量電容X7R材料（6800pF以上）：適用頻率不超過(guò)10KHz
　　1.溫度特性：不超過(guò)±15％，-55℃～125℃。
　　2.老化特性：每10年變化1％ΔC，表現(xiàn)為10年變化約5％。

　　工作溫度為環(huán)境溫度與元件本體溫升之和。
　　降額設(shè)計(jì)
　　設(shè)計(jì)者在選用電容器工作電壓時(shí)，應(yīng)考慮施加在電容器兩端的直流電壓與交流電壓峰值之和不能超過(guò)額定電壓。為保證產(chǎn)品及線路的可靠性，在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)建議降額使用
　　
　　使用注意事項(xiàng)
　　工作溫度
　　電容器設(shè)計(jì)類別溫度范圍有?55℃～125℃、?55℃～85℃兩種，設(shè)計(jì)者必須確保工作溫度符合此范圍。為延長(zhǎng)電容器的使用壽命，推薦工作溫度限制在低于上限類別溫度10℃～15℃。設(shè)計(jì)者考慮電容器的

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