（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID；   
（2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。   
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；  
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；   
（5）場效應管的抗輻射能力強；  
（6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低

 產品參數：
   電流：8A                      電壓：500V ~ 650V
   電阻：0.56Ω~1.16Ω           種類：絕緣柵(MOSFET)
   溝道類型：N溝道               導電方式：增強型
   用途：L/功率放大              材料：N-FET硅N溝道
   開啟電壓： 500（V）           夾斷電壓： 標準（V） 
   跨導： 標準（μS）            極間電容： 標準（pF） 
   低頻噪聲系數： 標準（dB）     最大漏極電流： 標準（mA） 
   最大耗散功率： 標準（mW）     最大結溫：150 ℃
   常有封裝：TO-220/220F TO-251/252